NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么？
首先FLASH MEMORY作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于1984年发明。在FLASH MEMORY中又分为NOR FLASH和NAND FLASH两种常见的类型，其中NOR FLASH属于第一代产品，第一款商用产品是1988年Intel公司所制造的NOR FLASH芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NOR FLASH很快被NAND FLASH取代。NAND FLASH同样是有东芝公司发明，在1988年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NAND FLASH具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND FLASH相较于NOR FLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR FLASH十倍。
在FLASH模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-level cell, SLC）设备中，每个单元只存储1比特的信息，这简称为SLC NAND FLASH，其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。
而多阶存储单元（Multi-level cell, MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC闪存可降低生产成本，但比起SLC闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。
而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-Level Cell, TLC）TLC闪存，它的架构原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC短，大约1000次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用TLC这个名字，而是称其为3-bit MLC。
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